LP3 (Marseille)

Contact

Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés Photoniques

163, avenue de Luminy
13288 Marseille

Le laboratoire LP3 mène des travaux originaux de recherche sur la physique des interactions laser impulsionnels – matière en régime d’ablation et le développement de nouveaux procédés photoniques. Le laboratoire LP3 est en particulier un acteur de recherche reconnu aux niveaux national et international pour le diagnostic des plasmas d’ablation, la spectroscopie LIBS, la génération de sources X par plasma laser et pour le développement de procédés et processus innovants de fonctionnalisation et de transformation de la matière : écriture laser 3D dans les diélectriques et les semi-conducteurs, impression (sub)-micrométrique 3D, synthèse de nanoparticules et leur intégration dans des protocoles théranostiques activables par la lumière.Pour réaliser ces recherches, le laboratoire LP3 opère en particulier une plateforme laser unique de haute technicité (ASUR : Applications des Sources Ultra-Rapides), où sont développés des moyens d’investigation lumière-matière impliquant des approches résolues en temps optiques (par réflexion/transmission, imagerie) et X (imagerie X en contraste de phase, diffraction X). La ligne de diffraction X est aujourd’hui opérationnelle en mode statique à 17,48 keV (raie Ka Mo) et 8,04 keV (raie Ka Cu) et en cours de développement en mode dynamique (intérêt pour la science des matériaux et l’imagerie biologique). Au travers d’ULTRAFAST-LUMA, le laboratoire LP3 ouvrira cet outil unique aux utilisateurs LUMA.

ASUR

Impulsions laser :

Faisceau 1 (10 Hz, 800 nm) :

• E (sur cible) = 340 mJ
• I (sur cible) = 2 x 10¹⁹ W/cm²
• Durée 25 fs (P=20 TW)
• Contraste ASE (> 100ps) < 2.10^-9

Faisceau 2 (100 Hz, 800 nm) :

• E (sur cible) =180 mJ
• I (sur cible) = 1 x 10¹⁹ W/cm²
• Durée 25 fs (P=10 TW)
• Contraste ASE (> 100ps) < 2.10^-9

Faisceaux 3 et 4 (100 Hz, 800 nm):

• E = 15 mJ à 800 nm
• Durée 25 fs pour spectre de 75 nm (P = 0,6 TW)
• Contraste ASE (> 100 ps) : < 8.10^-10

Faisceau 5 : (100 Hz, 800 nm) 

• E=1 mJ en durée 25 fs
• E = 60 µJ en durée 12 fs (XPW)

Conversion de fréquence

• Sources X impulsionnelles secondaires @ 17,5 keV et 8,04 keV (sur faisceaux 1 et 2).
• TOPAS : durée 60 fs @1300 nm. Accordable de 240 nm à 9 µm (sur faisceaux 3 et 4).

End-stations

• Banc d’ablation laser et diagnostics sur faisceau 5.

Domaines d’applications :

• Génération de sources X pour l’imagerie et l’analyse de la matière sous excitation
• Métrologie de l’endommagement en régime Ultracourt
• Ionisation des matériaux en régime hors équilibre
• Développements laser à puissance crête et moyenne élevées– Structuration de la matière à l’échelle (sub)-micrométrique